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亦称“离子掺杂”。常用于半导体掺杂和pn结制作技术。方法是将杂质离子在真空中加速到一定能量后,打到半导体晶片上,高速的离子穿透晶体表面进入体内,经过不断与晶体的原子碰撞速度减慢,并终止在一定的深度,从而达到掺杂的目的。同制作pn结的杂质扩散方法相比较,离子注入具有:掺杂温度较低,可以精确控制杂质分布,获得浅结和薄的基区宽度以及有可能发展为无掩模技术等优点,在制造微波晶体管、场效应晶体管等方面应用较广。