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对磁场的变化特别敏感的半导体材料。其典型应用为砷化镓半导体霍耳元件。20世纪90年代发展了一类非晶态金属-非金属化合物半导体材料,对磁场变化感知和传递非常敏感,如空穴氧化镍基合金薄膜具有很强的非线性磁检测功能。