磷化铟

化学式InP。一种重要的化合物半导体材料。为有似金属外观的单晶。易碎。熔点1 070℃。微溶于无机酸。在高温和高压下用铟和红磷为原料合成多晶，然后在高压单晶炉内拉制而成。是直接跃迁型半导体。以单晶作为衬底材料可外延生长砷镓铟或磷砷镓铟，用于制造波长范围为1.0～1.5微米的半导体激光器、发光二极管和光检出器，在长波长光纤通信上得到广泛应用，也用于制造体效应管和场效应管等微波器件。